BSC010N04LSATMA1
BSC014N04LSATMA1
BSC026N04LSATMA1
TPS7B8233QDRVRQ1
TCAN1051GVDRQ1
STM8AF6223PCAX
SQS401EN-T1_GE3
STM8L051F3P6TR
STM8S003F3P6TR
DRV8323RSRGZR
VNH5019ATR-E
STM8L151K4U6
TPS54260DRCR
TCAN1051HDR

产品属性	属性值	搜索类似
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:	详细信息
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TDSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.2 V
Qg-栅极电荷:	85 nC
工作温度:	- 55 C
工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	96 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	7 ns
正向跨导 -	120 S
高度:	1.27 mm
长度:	5.9 mm
产品类型:	MOSFET
上升时间:	9 ns
系列:	OptiMOS 5
工厂包装数量:	5000
子类别:	MOSFETs
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	35 ns
典型接通延迟时间:	8 ns
宽度:	5.15 mm
零件号别名:	BSC014N04LS SP000871196
单位重量:	110 mg

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