DMT47M2LDVQ-13
5M570ZT144C5N
S9S12G128AMLH
S9S12G128AMLL
S9S12GN32AMLF
SC33771CTA1MAE

SPC5606BF1MLQ6

产品属性	属性值	搜索类似
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerDI3333-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	30.2 A
Rds On-漏源导通电阻:	10.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.3 V
Qg-栅极电荷:	14 nC
工作温度:	- 55 C
工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.34 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Dual
下降时间:	8.53 ns
产品类型:	MOSFET
上升时间:	5.41 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	MOSFETs
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	15.4 ns
典型接通延迟时间:	3.95 ns
单位重量:	30 mg

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