NCP1403SNT1G
MIMXRT1052DVL6B 
IPB80N06S4L-07
LAN9220-ABZJ 
W25Q128JVEIQ
STM32F030R8T6
STM32L010RBT6
STM32L431CBU6
STM32F746IGK6
STM8L151C8T6TR
STM8AF6213PDU
STM8AF52A8TDY
SPC563M64L5C0AR
HI3531DRBCV200
PCF8563T/5,518

产品属性	属性值	搜索类似
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:	详细信息
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	80 A
Rds On-漏源导通电阻:	6.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.7 V
Qg-栅极电荷:	75 nC
工作温度:	- 55 C
工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	79 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	8 ns
高度:	4.4 mm
长度:	10 mm
产品类型:	MOSFET
上升时间:	3 ns
系列:	IPB80N06S4L
工厂包装数量:	1000
子类别:	MOSFETs
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	50 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
宽度:	9.25 mm
零件号别名:	IPB80N06S4L-07 SP001028674
单位重量:	4 g

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