型号：IPA65R190CFD

品牌：INFINEON

封装:  TO220F

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220FP-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 17.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

Qg-栅极电荷: 68 nC

Pd-功率耗散: 34 W

配置: Single

商标名: CoolMOS

封装: Tube

高度: 16.15 mm  

长度: 10.65 mm  

系列: CoolMOS CFD2  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.85 mm  

商标: Infineon Technologies  

下降时间: 6.4 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 8.4 ns  

工厂包装数量: 500  

子类别: MOSFETs  

零件号别名: IPA65R190CFDXKSA1 IPA65R19CFDXK SP000905382  

单位重量: 6 g

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