型号：IPN70R1K0CEATMA1

品牌：INFINEON

封装:  SOT223

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-223-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 700 V

Id-连续漏极电流: 7.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 900 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 14.9 nC

工作温度: - 40 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: Reel

系列: CoolMOS CE  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: Infineon Technologies  

下降时间: 13.6 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 5.2 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 41 ns  

典型接通延迟时间: 6.6 ns  

零件号别名: IPN70R1K0CE SP001646912  

单位重量: 117.200 mg

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