型号：IRFAG50

品牌：Infineon

封装:  TO-3

产品种类: MOSFET

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-204AA-2

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 1 kV

Id-连续漏极电流: 5.6 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.3 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 150 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

高度: 7.74 mm  

长度: 39.37 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 25.53 mm  

商标: Infineon / IR  

下降时间: 60 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 44 ns  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 210 ns  

典型接通延迟时间: 30 ns

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