型号：IPT020N10N3ATMA1

品牌：Infineon

封装:  DFN8

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-HSOF-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 300 A

Rds On-漏源导通电阻: 2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 156 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 375 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 2.4 mm  

长度: 10.58 mm  

系列: OptiMOS 3  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 10.1 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 值: 125 S  

下降时间: 18 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 58 ns  

工厂包装数量: 2000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 84 ns  

典型接通延迟时间: 34 ns  

零件号别名: IPT020N10N3 SP001100160  

单位重量: 773 mg

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