型号：FF200R12KE3

品牌：Infineon

封装:  MODULE

配置: Dual

集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 1.7 V

在25 C的连续集电极电流: 200 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

Pd-功率耗散: 1.05 kW

封装 / 箱体: IS5a ( 62 mm )-7

工作温度: - 40 C

工作温度: + 125 C

封装: Tray

高度: 30.9 mm  

长度: 106.4 mm  

宽度: 61.4 mm  

商标: Infineon Technologies  

安装风格: Chassis Mount  

栅极/发射极电压: 20 V  

产品类型: IGBT Modules  

工厂包装数量: 10  

子类别: IGBTs  

零件号别名: FF200R12KE3HOSA1 SP000100735

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