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深圳市百诺芯科技有限公司 > 技术资料 > IPP60R600C6 MOSFET 600V

IPP60R600C6 MOSFET 600V

发布时间: 2018/9/25 9:15:40 | 575 次阅读

型号:IPP60R600C6

品牌:NUVOTON

封装:LQFP128

汲极/源极击穿电压:650 V

闸/源击穿电压:+/- 20 V

漏极连续电流:19 A

导通电阻:0.6 Ohms

工作温度:+ 150 C

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:PG-TO220-3

封装:Tube

商标:Infineon Technologies

下降时间:13 ns

栅极电荷 Qg:20.5 nC

工作温度:- 55 C

功率耗散:63 W

上升时间:9 ns

系列:IPP60R600

工厂包装数量:500

商标名:CoolMOS

典型关闭延迟时间:80 ns

零件号别名:IPP60R600C6XKSA1 SP000645074    

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